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Halbleiter-Schaltbeispiele 1970 [antikvár]

 
1. NF-Verstarker Auf die grundsátzlichen Unterschiede mit Si oder Ge-Transistoren bestückter NF-Verstárker wurde schon des öfteren hingewiesen. lm Einsatz in NF-V orstufen hat sich dér Si-T ransistor wegen seines niedrigen Reststromes (Temperaturstabilitát) und geringeren Rauschens durchgesetzt. In Leistungsendstufen bringt die höher zulássige Kristalltemperatur von Silizium manche Vorteile gegenüber Germanium, hingegen habén sich in kleinen tragbaren Geráten mit niedrigen Betriebsspannungen (6 bis 12 V) und in Autosupern die...
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1. NF-Verstarker Auf die grundsátzlichen Unterschiede mit Si oder Ge-Transistoren bestückter NF-Verstárker wurde schon des öfteren hingewiesen. lm Einsatz in NF-V orstufen hat sich dér Si-T ransistor wegen seines niedrigen Reststromes (Temperaturstabilitát) und geringeren Rauschens durchgesetzt. In Leistungsendstufen bringt die höher zulássige Kristalltemperatur von Silizium manche Vorteile gegenüber Germanium, hingegen habén sich in kleinen tragbaren Geráten mit niedrigen Betriebsspannungen (6 bis 12 V) und in Autosupern die bewáhrten Germanium-Transistoren wegen ihrer niedrigeren Restspannung (Wirkungsgrad) und besserer Stromverstárkungslinearitát sowie aus wirtschaftlichen Gründen behauptet. 1.1. Überlegungen zűr Auslegung von eisenlosen Endstufen Die nachfolgend beschriebenen eisenlosen NF-Verstárker sind z.T. mit komplementársymmetrischer Endstufe ausgeführt und z.T. mit quasikomplementárer Endstufe. Vorab wollen wir einige Gegebenheiten bei eisenlosen Endstufen und Verstárkern diskutieren. Für die Aussteuerspannung dér Endstufentransistoren ist die Treiberstufe bestimmend. Um möglichst die volle Betriebsspannung zum Aussteuern zűr Verfügung zu habén, müssen die Restspannung des Treibertransistors und dér Gleichspannungsabfall am Emitterwiderstand des Treibers kiéin sein. Ist dér obere Endstufentransistor, vgl. Bild 1.6.1, durchgesteuert, so zieht er seinen maximalen Basisstrom, d. h. am Kollektorwiderstand des Treibers tritt ein bestimmter, vöm Höchstwert des Basiswechselstromes abhángiger Spannungsabfall auf. Das Bezugs-Potential des Treibertransistors muB alsó über dem Wert dér vorhandenen Versorgungsspannung liegen, damit die Basis des oberen Endstufentransistors den zum Durchsteuern des Kollektorstromes nötigen Basisstrom ziehen kann. Mán schliefit deshalb den Treiber an eine entsprechend höhere Betriebsspannung an, oder mán gewinnt, so wie in den vorliegenden Schaltungen praktiziert, die zusátzliche Versorgungsspannung aus dér Überlagerung dér Ausgangsspannung über die Versorgungsspannung, indem mán den Kollektorwiderstand des Treibers nicht unmittelbar, sondern über den Ausgangswiderstand an den Bezugspol legt. lm Vergleich zu NF-Verstárkern mit parallelgespeisten Endstufen (Transformatorkopplung) steht in Verstárkern mit eisenlosen End-

Termékadatok

Cím: Halbleiter-Schaltbeispiele 1970 [antikvár]
Kiadó: Siemens Aktiengesellschaft
Kötés: Ragasztott papírkötés
Méret: 150 mm x 210 mm
Bolti készlet  
Vélemény:
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